IRFI520N
V DS
L
D.U.T.
200
TO P
I D
2.3A
4.0A
R G
+
160
B O TTO M
5.7A
-
V DD
10 V
t p
I AS
0.01 ?
120
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
V (BR)DSS
t p
80
40
V DD
0
V D D = 25V
A
25
50
75
100
125
150
175
V DS
I AS
S tarting T J , Junction T em perature (°C )
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
50K ?
Q G
12V
.2 μ F
.3 μ F
- DS
10 V
Q GS
Q GD
D.U.T.
+
V
V GS
V G
3mA
I G
I D
Charge
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
Current Sampling Resistors
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
相关PDF资料
IRFI530N MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP
IRFIZ24E MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP
IRFIZ34E MOSFET N-CH 60V 21A TO220FP
IRFIZ46NPBF MOSFET N-CH 55V 33A TO220FP
IRFIZ46N MOSFET N-CH 55V 33A TO220FP
IRFIZ48NPBF MOSFET N-CH 55V 40A TO220FP
IRFIZ48N MOSFET N-CH 55V 36A TO220FP
IRFL024NTR MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
相关代理商/技术参数
IRFI520NHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
IRFI520NPBF 功能描述:MOSFET N-CH 100V 7.6A TO220FP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFI520NPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor RoHS Compliant:Yes
IRFI5210 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRFI530 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 9.7A I(D) | TO-220AB
IRFI530A 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET
IRFI530ATU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFI530G 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 9.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube